[发明专利]操作自旋注入操作磁随机存取存储器件的方法及相关器件有效
| 申请号： | 200510091996.2 | 申请日： | 2005-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1747060A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 郑元哲;金奇南;郑弘植;郑基泰;朴哉炫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C7/00;H01L43/00;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供用于操作包括存储单元的磁随机存取存储器件的方法，该存储单元具有在衬底上的磁隧道结结构的。具体，可以通过磁隧道结结构提供写电流脉冲，以及可以通过磁隧道结结构提供写磁场脉冲。此外，至少部分写磁场脉冲可以相对于至少部分写电流脉冲及时重叠，以及至少部分写电流脉冲和/或至少部分写磁场脉冲彼此可以不及时重叠。还论述了相关的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 自旋 注入 随机存取存储器 方法 相关 器件 | ||
【主权项】：
1.一种操作包括存储单元的磁随机存取存储器件的方法，该存储单元具有在衬底上的磁隧道结结构，该方法包括：通过磁隧道结结构提供写电流脉冲；以及通过磁隧道结结构提供写磁场脉冲，其中至少部分写磁场脉冲相对于至少部分写电流脉冲及时重叠，以及其中至少部分写电流脉冲和/或至少部分写磁场脉冲彼此可以不及时重叠。
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