[发明专利]分离栅极快闪存储器及其制造方法

摘要

一种分离栅极快闪存储器，具备有基底、至少一有源层、多个元件隔离层、至少一存储单元。有源层设置于基底上，且突出基底表面。元件隔离层分别设置于有源层的两侧，且元件隔离层的表面低于有源层的表面。存储单元设置于基底上。存储单元包括堆栈栅极结构、选择栅极、源极区与漏极区。堆栈栅极结构至少包括跨过有源层的浮置栅极。选择栅极设置于堆栈栅极结构的第一侧，且跨过有源层。源极区设置于堆栈栅极结构的第二侧的有源层中，且延伸至浮置栅极下方，其中第二侧与第一侧相对。漏极区设置于选择栅极一侧的有源层中。

主权项

1、一种分离栅极快闪存储器，包括：一基底；至少一有源层，设置于该基底上，且突出该基底表面；多个元件隔离层，分别设置于该有源层的两侧，且该些元件隔离层的表面低于该有源层的表面；至少一存储单元，设置于该基底上，该存储单元包括：一堆栈栅极结构，该堆栈栅极结构至少包括一浮置栅极，其中该浮置栅极跨过该有源层；一选择栅极，设置于该堆栈栅极结构的一第一侧，且跨过该有源层；一源极区，设置于该堆栈栅极结构的一第二侧的该有源层中，且延伸至该浮置栅极下方，其中该第二侧与该第一侧相对；以及一漏极区，设置于该选择栅极一侧的该有源层中。