[发明专利]P型通道存储器及其操作方法无效
| 申请号： | 200510092035.3 | 申请日： | 2005-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1917215A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/78;H01L21/8247;H01L21/336;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种P型通道存储器，其中各存储单元是由基底、栅极结构、第一电荷陷入层与第二电荷陷入层，以及第一源极/漏极与第二源极/漏极所构成的。其中栅极结构设置于基底上，第一电荷陷入层与第二电荷陷入层是设置于栅极结构的两侧，用以于单一存储单元内储存两个位的数据。第一源极/漏极与第二源极/漏极设置于栅极结构两侧的基底中。 | ||
| 搜索关键词： | 通道 存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种P型通道存储器，具有一第一存储单元，该第一存储单元包括：一基底；一栅极结构，设置于该基底上；一第一电荷陷入层与一第二电荷陷入层，设置于该栅极结构的两侧，用以于该第一存储单元储存两个位；以及一第一源极/漏极与一第二源极/漏极，设置于该栅极结构两侧的该基底中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
