[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法有效
申请号: | 200510092038.7 | 申请日: | 2005-08-16 |
公开(公告)号: | CN1917211A | 公开(公告)日: | 2007-02-21 |
发明(设计)人: | 黄承汉;游弼惠;徐子安 | 申请(专利权)人: | 力晶半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L23/52;H01L21/8242;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种动态随机存取存储器,具有一基底、一介电层、一接触窗插塞以及一电容器。介电层配置于基底上,且介电层具有一接触窗开口。接触窗插塞具有一第一部分与一第二部分,其中第一部分位于该接触窗开口中,而第二部分位于第一部分之上,可位于接触窗开口中或者突出于接触窗开口,且第二部分的宽度大于第一部分的宽度。电容器配置于介电层与接触窗插塞上,与接触窗插塞电连接。 | ||
搜索关键词: | 动态 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种动态随机存取存储器,包括:一基底;一晶体管,配置于该基底上;一第一介电层,配置于该基底与该晶体管上,其中该第一介电层具有一接触窗开口;一接触窗插塞,该接触窗插塞的至少一部分位于该接触窗开口中,其中该接触窗插塞具有一第一部分与一第二部分,其中该第二部分位于该第一部分之上,且该第二部分的宽度大于该第一部分的宽度;以及一电容器,配置于该第一介电层与该接触窗插塞上,与该接触窗插塞电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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