[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200510092038.7 申请日: 2005-08-16
公开(公告)号: CN1917211A 公开(公告)日: 2007-02-21
发明(设计)人: 黄承汉;游弼惠;徐子安 申请(专利权)人: 力晶半导体股份有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L23/52;H01L21/8242;H01L21/768
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种动态随机存取存储器,具有一基底、一介电层、一接触窗插塞以及一电容器。介电层配置于基底上,且介电层具有一接触窗开口。接触窗插塞具有一第一部分与一第二部分,其中第一部分位于该接触窗开口中,而第二部分位于第一部分之上,可位于接触窗开口中或者突出于接触窗开口,且第二部分的宽度大于第一部分的宽度。电容器配置于介电层与接触窗插塞上,与接触窗插塞电连接。
搜索关键词: 动态 随机存取存储器 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种动态随机存取存储器,包括:一基底;一晶体管,配置于该基底上;一第一介电层,配置于该基底与该晶体管上,其中该第一介电层具有一接触窗开口;一接触窗插塞,该接触窗插塞的至少一部分位于该接触窗开口中,其中该接触窗插塞具有一第一部分与一第二部分,其中该第二部分位于该第一部分之上,且该第二部分的宽度大于该第一部分的宽度;以及一电容器,配置于该第一介电层与该接触窗插塞上,与该接触窗插塞电连接。
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