[发明专利]半导体元件的制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法，此方法先于基底上形成多个隔离结构以定义出有源区。然后，于有源区的基底中形成多个元件结构，这些元件结构的顶部高于基底表面。接着，于元件结构的表面形成绝缘层。之后，于基底上依序形成导体层与材料层，覆盖绝缘层与裸露的基底，其中此材料层具有流动性。继之，进行第一蚀刻步骤，移除材料层与部分的导体层。然后，于基底上形成绝缘材料层。之后，对绝缘材料层进行第二蚀刻工艺，以形成一对导体间隙壁。

主权项

1、一种半导体元件的制造方法，包括：提供一基底，该基底至少包括：多个隔离结构配置于该基底上，其中该些隔离结构定义出一有源区，并且该些隔离结构的顶部高于该基底表面；多个元件结构位于该有源区的该基底中，其中该些元件结构的顶面高于该些隔离结构的顶面；以及一绝缘层覆盖该些元件结构；于该基底上形成一第一导体层，覆盖该绝缘层与该基底；于该第一导体层上形成一材料层，其中该材料层具有流动性；进行一第一蚀刻步骤，移除该材料层与部分该第一导体层；于该基底上形成一绝缘材料层，覆盖保留下来的该第一导体层；以及对该绝缘材料层进行一第二蚀刻步骤，以形成一导体间隙壁。