[发明专利]半球形硅晶粒的制造方法与大面积电极的制造方法无效
| 申请号： | 200510092041.9 | 申请日： | 2005-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1917145A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 杨立凡;黄堃书;彭圣修;应宗桦 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半球形硅晶粒工艺，先于基底上形成一掺杂多晶硅层，再使用氧化性气体氧化掺杂多晶硅层的表面，以形成一氧化层，然后于此氧化层上形成一非晶硅层。接着，将此非晶硅层转变成多个半球形硅晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 半球形 晶粒 制造 方法 大面积 电极 | ||
【主权项】：
1、一种半球形硅晶粒的制造方法，包括：于一基底上形成一掺杂多晶硅层；使用一氧化性气体氧化该掺杂多晶硅层的表面，以形成一氧化层；于该氧化层上形成一非晶硅层；以及将该非晶硅层转变成多个半球形硅晶粒，其中，该氧化层的厚度足够小，而不致妨碍该些半球形硅晶粒与该掺杂多晶硅层的电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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