[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法

摘要

一种非挥发性存储器的制造方法，先于一基底中形成一半导体元件，半导体元件的顶部高于基底的表面。之后，于基底上形成第一介电层，覆盖半导体元件与基底。接着，移除部分第一介电层，以至少保留位于半导体元件侧壁，且位于部分基底上的部分第一介电层。继之，于基底上方依序形成第二介电层与导体层，于半导体元件的侧壁的导体层上形成对应的掩模间隙壁，之后再以掩模间隙壁为蚀刻掩模，移除部分导体层直到曝露出第二介电层的表面。

主权项

1、一种非挥发性存储器的制造方法，包括：于一基底中形成一半导体元件，该半导体元件的顶部高于该基底的表面；于该基底上形成一第一介电层，覆盖该半导体元件表面及该基底，其中覆盖该基底的部分该第一介电层的表面轮廓呈往该半导体元件高度递增的阶梯状；于该第一介电层上形成一第一导体层；于该半导体元件侧壁的该第一导体层上形成对应的一对第一掩模间隙壁；以及以该对第一掩模间隙壁为蚀刻掩模，移除部分该第一导体层，使位于该对第一掩模间隙壁与该第一介电层之间的该第一导体层则形成一对导体间隙壁。