[发明专利]半导体元件及具有金属硅化物的导线的制造方法无效
| 申请号： | 200510092045.7 | 申请日： | 2005-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1917166A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 杨立民;赖亮全 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有金属硅化物的导线的制造方法，先于基底上，形成一层导体层。接着，于导体层上形成一层硬掩模层。然后，以硬掩模层为掩模，移除部分导体层。之后，于导体层及硬掩模层的侧壁形成一间隙壁。接下来，移除硬掩模层。随后，于导体层上形成一金属硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 具有 金属硅 导线 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件的制造方法，包括：于一基底中形成一沟槽式半导体元件，该沟槽式半导体元件凸起于该基底表面；于该沟槽式半导体元件上形成一第一介电层；于该第一介电层上形成一导体层；于该导体层上形成一图案化的硬掩模层；以该图案化的硬掩模层为掩模，依序移除部份该导体层及部分该第一介电层；于该第一介电层、该导体层及该图案化的硬掩模层的侧壁形成一间隙壁；移除该图案化的硬掩模层；以及于该导体层上形成一金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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