[发明专利]半导体器件的缺陷检测方法无效
| 申请号： | 200510092059.9 | 申请日： | 2005-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1917162A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 林龙辉;陈嘉云;罗先得 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N23/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体器件的缺陷检测方法，包含：提供一半导体器件；对该半导体器件施以热处理；对上述半导体器件进行一电子束检测，并取得一分析图形；以及当上述分析图形出现电位对比差异的领域时，则判别上述半导体器件具有一管状缺陷。其中上述半导体器件具有：一基底；多个栅极，分别凸出于上述基底上；一介电层，毯覆于上述基底与上述栅极上；及多个多晶硅插塞(plug)，分别置于上述栅极之间的上述基底上，并分布于上述介电层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的缺陷检测方法，包含：提供一半导体器件，具有：一基底；多个栅极，分别凸出于该基底上；一介电层，毯覆于该基底与该些栅极上；及多个多晶硅插塞，分别置于该些栅极之间的该基底上，并分布于该介电层中；对该半导体器件施以热处理；对该半导体器件进行一电子束检测，并取得一分析图形；以及当该分析图形出现电位对比差异的领域时，则判别该半导体器件具有一管状缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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