[发明专利]减低启动电压随栅极长度变异而改变的方法无效
| 申请号： | 200510092060.1 | 申请日： | 2005-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1917153A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 纪儒兴 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/22;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种减低启动电压随栅极长度变异而改变的方法，其主要利用角度掺杂以及邻近晶体管元件的遮蔽效应而自动补偿晶体管元件因栅极长度的差异所造成其启动电压的变动，包括下列步骤：提供一基底，其上有多个金氧半晶体管元件，且上述金氧半晶体管元件乃具有不同的栅极长度；以多个不同角度对上述金氧半晶体管元件进行口袋掺杂，并量测上述金氧半晶体管元件的启动电压，以建立启动电压与栅极长度在不同掺杂角度下的关联性，并由上述关联性推算一启动电压随栅极长度变异最小的掺杂角度，以及利用上述所得的掺杂角度进行口袋掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 减低 启动 电压 栅极 长度 变异 改变 方法 | ||
【主权项】：
1.一种减低启动电压随栅极长度变异而改变的方法，包括下列步骤：提供一基底，其上有多个金氧半晶体管元件，该些金氧半晶体管元件具有不同的栅极长度；以多个不同角度对该些金氧半晶体管元件进行口袋掺杂；量测该些金氧半晶体管元件的启动电压，以建立启动电压与栅极长度在不同掺杂角度下的关联性；由上述关联性推算一启动电压随栅极长度变异最小的掺杂角度；以及以所得的掺杂角度进行口袋掺杂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶半导体股份有限公司，未经力晶半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510092060.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电能控制装置、电能控制方法及程序
- 下一篇：光隔离器及光学装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
