[发明专利]电容器、半导体存储器件及制造电容器的方法有效
| 申请号： | 200510092117.8 | 申请日： | 2005-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1738062A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李正贤;朴星昊;徐范锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L27/00;H01L27/108;H01L21/00;H01L21/02;H01L21/329;H01L21/82;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有可以减小漏电流的介电层的电容器和制造该电容器的方法。在包括下电极、形成于下电极上的介电层和形成于介电层上的上电极的电容器中，通过使用由过渡金属和镧系材料的复合氧化物形成的介电层可以显著减小电容器的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 半导体 存储 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器，包括：硅衬底；下电极；介电层，形成于所述下电极上；和上电极，形成于所述介电层上，其中，所述介电层包括过渡金属和镧系材料的复合氧化物。
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