[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法与操作方法

摘要

一种非挥发性存储器，包括基底、多个选择栅极、多个栅介电层、多个掺杂区、多个控制栅极与多个电荷储存结构。基底中具有多个沟槽，这些沟槽平行排列，并往一第一方向延伸。多个选择栅极设置于基底中，填满这些沟槽。多个栅介电层设置于选择栅极与基底之间。多个掺杂区设置于沟槽下方的基底中。多个控制栅极设置于选择栅极上，这些控制栅极平行排列，并往一第二方向延伸，且第二方向与第一方向交错。多个电荷储存结构分别设置于沟槽间的基底与控制栅极之间。

主权项

1.一种非挥发性存储器，包括：一基底，该基底中具有多个沟槽，该些沟槽平行排列，并往一第一方向延伸；多个选择栅极，设置于该基底中，填满该些沟槽；多个栅介电层，设置于该些选择栅极与该基底之间；多个掺杂区，设置于该些沟槽下方的该基底中；多个控制栅极，设置于该基底上，该些控制栅极平行排列，并往一第二方向延伸，且该第二方向与该第一方向交错；以及多个电荷储存结构，分别设置于该些控制栅极与该些沟槽间的该基底之间。