[发明专利]MOS型电熔丝及其编程方法和采用该电熔丝的半导体器件无效
| 申请号： | 200510092138.X | 申请日： | 2005-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1737993A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 栉田桂一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/336;H01L21/82;H01L27/105;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的MOS晶体管型电熔丝的编程方法是，准备MOS晶体管，所述MOS晶体管具有在半导体基板的第1导电型的阱的上表面对置形成的第2导电型的第1及第2杂质区；至少在夹在所述第1与所述第2杂质区当中的所述阱的上表面形成的栅极绝缘膜；以及隔着所述栅极绝缘膜、在夹在所述第1与所述第2杂质区当中的所述阱的上表面上形成的栅极电阻，对所述栅极电极加上第1电压，对所述第1杂质区加上与所述第1电压不同的第2电压，仅使所述栅极电极与所述第1杂质区之间的所述栅极绝缘膜短路。 | ||
| 搜索关键词： | mos 型电熔丝 及其 编程 方法 采用 电熔丝 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种MOS晶体管型电熔丝的编程方法，其特征在于，包括准备MOS晶体管作为熔丝元件，所述MOS晶体管具有在半导体基板的第1导电型的阱的上表面对置形成的第2导电型的第1及第2杂质区；至少在夹在所述第1与所述第2杂质区当中的所述阱的上表面形成的栅极绝缘膜；以及隔着所述栅极绝缘膜、在夹在所述第1与所述第2杂质区当中的所述阱的上表面上形成的栅极电极，对所述栅极电极加上第1电压，对所述第1杂质区加上与所述第1电压不同的第2电压，仅使所述栅极电极与所述第1杂质区之间的所述栅极绝缘膜短路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
