[发明专利]晶片的制造方法及半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200510092145.X | 申请日： | 2005-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1738004A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 井口知洋;菅谦太郎;富冈泰造 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据制造半导体晶片和半导体器件的方法，半导体晶片的背面接地，并通过干或湿腐蚀，使分割的半导体晶片上的半导体芯片的背面具有基本相等的表面粗糙度。通过突起采用热压缩和超声波振动将半导体芯片接合到引线框上。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体晶片的方法，其特征在于，包括：在半导体晶片的被切成小块的主表面上形成多个电路，所述半导体晶片的所述主表面用作半导体芯片形成区；磨削所述半导体晶片的背面；和对所述半导体晶片的背面进行表面处理，使所述半导体晶片的背面的粗糙度一致，所述背面是所述主表面的相对的面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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