[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种搭载了多电源的MOS晶体管的半导体装置。高耐压用的n沟道型MOS晶体管的第1栅极绝缘膜(厚的栅极绝缘膜)在与半导体基板的界面上具有氮浓度峰值。高耐压用的p沟道型MOS晶体管的第2栅极绝缘膜(厚的栅极绝缘膜)、高速驱动用的n沟道型MOS晶体管的第3栅极绝缘膜(薄的栅极绝缘膜)及高速驱动用的p沟道型MOS晶体管的第4栅极绝缘膜(薄的栅极绝缘膜)分别仅在所对应的栅电极的附近具有氮浓度峰值。利用本发明，可以使对热载流子的可靠性和对NBTI的可靠性双方同时实现。

主权项

1.一种半导体装置，其特征是，具备：形成于半导体基板的第1n沟道型MOS晶体管形成区域之上的含有氮的第1栅极绝缘膜、形成于所述半导体基板的第1p沟道型MOS晶体管形成区域之上的含有氮的第2栅极绝缘膜、形成于所述半导体基板的第2n沟道型MOS晶体管形成区域之上的含有氮的第3栅极绝缘膜、形成于所述半导体基板的第2p沟道型MOS晶体管形成区域之上的含有氮的第4栅极绝缘膜，所述第3栅极绝缘膜的膜厚及所述第4栅极绝缘膜的膜厚分别比所述第1栅极绝缘膜的膜厚及所述第2栅极绝缘膜的膜厚更薄，所述第1栅极绝缘膜在与所述半导体基板的界面上具有氮浓度峰值，所述第2栅极绝缘膜、所述第3栅极绝缘膜及所述第4栅极绝缘膜仅在形成于各自之上的栅电极的附近具有氮浓度峰值。