[发明专利]制造高到低和低到高反射比型光盘介质的方法无效
申请号: | 200510092166.1 | 申请日: | 2005-08-22 |
公开(公告)号: | CN1750133A | 公开(公告)日: | 2006-03-22 |
发明(设计)人: | 山中丰 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | G11B7/00 | 分类号: | G11B7/00;G11B7/24;G11B7/16;G11B20/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种制造高到低反射型和低到高反射型的光盘介质的方法同时将高到低反射型的光盘介质的未记录区域的反射比和低到高反射型的光盘介质的已记录坑的反射比设置在指定反射比范围内。光盘驱动器可以再现同时来自这些光盘介质的数据,而不会改变对信号处理系统的设置。 | ||
搜索关键词: | 制造 高到低 低到高 反射 光盘 介质 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制造高到低反射型和低到高反射型的光盘介质的方法,所述方法包括:将所述高到低反射型的所述光盘介质的未记录区域的反射比设置在指定反射范围内;以及将所述低到高反射型的所述光盘介质的可能记录坑的反射比设置在所述指定反射比范围内。
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