[发明专利]配线图案形成方法、TFT用源电极和漏电极的形成方法无效
| 申请号： | 200510092168.0 | 申请日： | 2005-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1747625A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 平井利充;酒井真理 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/14 | 分类号： | H05K3/14;H05K3/46;H01B5/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种配线图案的形成方法，其中包括：向被围堰图案镶边的图案形成区域中所定的部分喷出液体状导电性材料的液滴，形成将图案形成区域覆盖的导电性材料层的步骤(A)。若将沿着部分的X轴方向的长度定为L，将沿着Y轴方向长度定为M，则被喷出液滴的直径Ф，处于L以下和M以下。而且步骤(A)包括喷出液滴，使液滴的中心与围堰图案间距离至少为直径Ф的1/2倍位置上的步骤(a1)。通过用液滴喷出装置喷出液滴，设置TFT用源电极或漏电极。 | ||
| 搜索关键词： | 线图 形成 方法 tft 电极 漏电 | ||
【主权项】：
1.一种配线图案的形成方法，是用液滴喷出装置喷出液体状导电性材料的液滴，在具有基体上由围堰图案镶边、第一方向长度为L的同时与所述第一方向正交的第二方向长度为M的部分的图案形成区域设置导电性材料层的配线图案形成方法，其特征在于，具有向所述部分喷出其直径为所述L以下、同时所述M以下的所述液滴，形成将所述部分覆盖的所述导电性材料层的步骤(A)，所述步骤(A)包括喷出所述液滴，使所述液滴的中心与所述围堰图案间距离至少为所述直径1/2倍的位置上的步骤(a1)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510092168.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
