[发明专利]薄膜晶体管和采用该薄膜晶体管的平板显示器有效
| 申请号： | 200510092218.5 | 申请日： | 2005-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1725522A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 具在本;徐旼彻;牟然坤 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温宏艳;王景朝 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管和采用该薄膜晶体管的平板显示器，包括栅极，源极和漏极，有机半导体层和栅极绝缘层。第一电容是位于有机半导体层、电极和栅极绝缘层彼此接触的第一点的电容，第二电容是位于有机半导体层与栅极绝缘层相接触的第二点的电容，第三电容是位于电极与栅极绝缘层相接触的第三点的电容，第四电容是一位于有机半导体层与电极相接触的第四点的电容。第一电容比第二电容、第三电容和第四电容中的一个大。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 采用 平板 显示器 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：栅极；源极和漏极；与栅极绝缘并与源极和漏极相接触的有机半导体层；和将源极和漏极与栅极绝缘的栅极绝缘层，其中第一电容是位于有机半导体层、电极和栅极绝缘层彼此接触的第一点的电容，第二电容是位于有机半导体层与栅极绝缘层相接触的第二点的电容，第三电容是位于电极与栅极绝缘层相接触的第三点的电容，第四电容是位于有机半导体层与电极相接触的第四点的电容，而其中第一电容比第二电容、第三电容和第四电容中的一个大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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