[发明专利]半导体集成电路器件

摘要

提供一种结构，其中在半导体薄膜上形成的完全耗尽SOI CMOS电路的NMOS晶体管的栅极电极具有N型导电性，同时在半导体支撑衬底上形成的ESD输入/输出保护元件的保护NMOS晶体管的栅极电极具有P型导电性，可能保护输入/输出端，特别是完全耗尽SOI CMOS器件的输出端，其减弱ESD噪音，同时确保足够的ESD击穿强度。

主权项

1、一种半导体集成电路器件，包括：CMOS元件包含栅极电极具有N型导电性的第一N沟道MOS晶体管和栅极电极具有P型导电性的第一P沟道MOS晶体管，两者设置在包括半导体支撑衬底的SOI衬底的半导体薄膜中，设置在半导体支撑衬底上的掩埋绝缘膜，以及设置在掩埋绝缘膜上的半导体薄膜；设置在SOI利底中的电阻器；以及栅极电极具有P型导电性的第二N沟道MOS晶体管，设置在SOI衬底中以及作为具有静电放电能力的ESD保护元件并且保护输入端或输出端之一。