[发明专利]制造具有电阻尖端的半导体探针的方法

摘要

本发明涉及一种制造具有电阻尖端的半导体探针的方法。该方法包括：在硅基板上形成具有矩形形状的第一和第二掩模膜；第一次蚀刻硅基板的上表面；通过蚀刻第一掩模膜形成相应于尖端颈部宽度的第三掩模膜；通过利用第三掩模膜作为掩模第二次蚀刻硅基板形成尖端颈部的宽度到预定的宽度；且在去除第三掩模膜之后通过退火硅基板形成峰形成部分。可以制造具有均匀高度和尖端颈部具有均匀宽度的半导体探针。

主权项

1.一种制造具有电阻尖端的半导体探针的方法，包括：依次在掺杂有第一掺杂剂的硅基板上形成第一和第二掩模膜，且在除了第一和第二掩模膜之外的硅基板的区域上通过高度掺杂第二掺杂剂形成第一和第二半导体电极区；通过退火所述硅基板在所述第一和第二半导体电极区的外围区域上形成轻度掺杂第二掺杂剂的电阻区；以预定的形状构图第一和第二掩模膜；通过蚀刻除了构图的所述掩模膜之外的所述硅基板的上表面在第一掩模膜下形成具有第一宽度的尖端颈部部分；通过蚀刻所暴露的第一掩模膜形成相应于所述尖端颈部部分的第三掩模膜；在去除第二掩模膜之后，通过利用第三掩模膜作为掩模蚀刻所述硅基板将尖端颈部的宽度形成至预定的第二宽度；在去除第三掩模膜之后，通过退火所述硅基板形成电阻尖端；和通过蚀刻所述硅基板形成悬臂以在悬臂的端部分上设置电阻尖端，其中，所述第一和第二掩模膜具有不同的蚀刻选择性。