[发明专利]互补式金属氧化物半导体晶体管影像感测器及其制造方法

摘要

一种互补式金属氧化物半导体晶体管影像感测器，其包括光感测元件、至少一晶体管、第一介电层、环柱反射层、第二介电层、保护层、材料层、透明材料层、滤光膜以及聚光元件。其中，光感测元件配置于衬底的光感测区中，而晶体管配置于衬底的晶体管区上，且晶体管与光感测元件电性连接。第一介电层配置于衬底上，且覆盖晶体管与光感测元件，而环柱反射层配置于光感测区的第一介电层上。第二介电层配置于环柱反射层外侧的第一介电层上，保护层配置于第二介电层上，而材料层配置于环柱反射层内侧的第一介电层上。透明材料层配置于材料层、保护层与环柱反射层上，滤光膜配置于透明材料层上，聚光元件配置于对应至光感测区的滤光膜上。

主权项

1.一种互补式金属氧化物半导体晶体管影像感测器，包括：一光感测元件，配置于一衬底的一光感测区中；至少一晶体管，配置于该衬底的一晶体管区上，且该晶体管与该光感测元件电性连接；一第一介电层，配置于该衬底上，覆盖该晶体管与该光感测元件；一环柱反射层，配置于该光感测区的该第一介电层上；一第二介电层，配置于该环柱反射层外侧的该第一介电层上；一保护层，配置于该第二介电层上；一材料层，配置于该环柱反射层内侧的该第一介电层上；一透明材料层，配置于该材料层、该保护层与该环柱反射层上；一滤光膜，配置于该透明材料层上；以及一聚光元件，配置于对应至该光感测区的该滤光膜上。