[发明专利]自发光设备及其制造方法有效
申请号: | 200510092701.3 | 申请日: | 2001-03-27 |
公开(公告)号: | CN1744345A | 公开(公告)日: | 2006-03-08 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;柴田典子 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H05B33/12;H01L51/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李连涛 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种在同一多室内连续形成EL层、阴极、阻挡层和覆盖层的方法。通过使用同一膜沉积方法以形成EL层和覆盖层,如图1A所示,EL层、阴极、阻挡层和覆盖层可以在同一多室内顺次形成。因此,如图1B所示,可以形成EL元件的密闭结构。 | ||
搜索关键词: | 发光 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种被动发光设备,包括:一个第一电极;位于该第一电极之上的发光层;以及位于该发光层之上的第二电极;一层覆盖所述第一电极的一部分、所述发光层和所述第二电极的一部分的含有无机材料的膜;以及一层覆盖所述含有无机材料的膜的含有有机材料的膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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