[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510092720.6 | 申请日： | 1994-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1734790A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 竹村保彦;寺本聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一种半导体设备，包括：在衬底上具有绝缘表面的硅岛，所述硅岛包括源极、漏极和位于所述源极和所述漏极之间的沟道；毗邻所述沟道配置的栅电极，所述栅电极和所述沟道之间有栅绝缘层；掺杂区，其掺杂浓度比所述源极和配置在所述沟道和所述源极和所述漏极中的至少一个之间的所述漏极的浓度要低；和在所述栅电极和所述硅岛上具有氮化硅的层，所述层具有与栅绝缘层接触的部分，其中所述栅绝缘层具有在所述沟道上的第一部分和在所述掺杂区上的第二部分，且所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度要薄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在衬底上具有绝缘表面的硅岛，所述硅岛包括源极、漏极和位于所述源极和所述漏极之间的沟道；毗邻所述沟道配置的栅电极，所述栅电极和所述沟道之间有栅绝缘层；掺杂区，其掺杂浓度比所述源极以及配置在所述沟道与所述源极和所述漏极中的至少一个之间的所述漏极的浓度要低；和在所述栅电极和所述硅岛上包括氮化硅的层，所述层具有与栅绝缘层接触的部分，其中所述栅绝缘层具有在所述沟道上的第一部分和在所述掺杂区上的第二部分，且所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度要薄。
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