[发明专利]磁存储器件及其操作和制造方法有效
| 申请号： | 200510092762.X | 申请日： | 2005-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN1750168A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 卢振瑞;金泰完;金洪奭;金恩植 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁存储器件和操作该磁存储器件的方法，该磁存储器件具有一致翻转特性并且能够由低电流翻转。该磁存储器件包括具有圆柱形状和共轴形成的元件的MTJ(磁性隧道结)层。该MTJ层包括：被施加写电流的导电层、共轴形成在该导电层周围的绝缘层、以及形成在该绝缘层周围的材料层，该材料层与该导电层共轴并且具有多个磁层。该材料层至少包括沿该导电层顺序堆叠的下磁层、隧穿层和上磁层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 及其 操作 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器件，包括具有圆柱形状和共轴形成的元件的磁性隧道结层。
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