[发明专利]蓝宝石基板、外延基板及半导体装置无效
| 申请号： | 200510092797.3 | 申请日： | 2005-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1744301A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 津田道信;井村将隆;本盐彰;岩谷素显;上山智;天野浩;赤崎勇 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L29/772;H01L33/00;H01L21/20;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种外延基板，是在蓝宝石基板的主面上至少具有依次叠层由氮化镓或氮化镓铟构成的电子移动层、及由氮化铝镓构成的阻挡层而成的异质构造的场效应晶体管(FET)制造用的外延基板，其特征是：所述蓝宝石基板的主面满足，从(01－12)面向(0001)面方向的斜角α满足0°＜α≤5°。其结果，能够提供一种平滑性良好的FET制造用的外延基板。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 外延 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种蓝宝石基板，其特征是：用于生长氮化物半导体的主面是，从(01-12)面向(0001)面方向的斜角α满足0°＜α≤5°的面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社，未经京瓷株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510092797.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于开放式接入的光纤到户驻地网系统
- 下一篇：光学装置和投影机
