[发明专利]单片单晶硅微机械加工的电容式压力传感器无效
| 申请号： | 200510092880.0 | 申请日： | 2005-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1920508A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 涂相征;李韫言 | 申请（专利权）人： | 李韫言 |
| 主分类号： | G01L9/12 | 分类号： | G01L9/12;G01L1/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种微机械加工的电容式压力传感器，其结构主要包括：单晶硅衬底；处于单晶硅衬底表面，起电容器弹性电极作用的外延单晶硅层；处于单晶硅衬底边缘表面的外延单晶硅框架；覆盖外延单晶硅框架表面的介质薄膜；由外延单晶硅框架支持，起电容器固定电极作用的外延单晶硅层；由外延单晶硅框架所围绕，处于两外延单晶硅层之间的空洞夹层。传感器的制造采用多孔硅选择性形成，多孔硅上外延生长，以及多孔硅选择性腐蚀等技术。由于器件为全单晶硅结构，器件性能可以得到很大改进，制造成本也能大幅度降低。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 单晶硅 微机 加工 电容 压力传感器 | ||
【主权项】：
1.一种微机械加工的电容式压力传感器，其结构特征包括：单晶硅衬底；处于单晶硅衬底表面，厚1至8微米，宽100至1000微米，起电容器弹性电极作用的矩形外延单晶硅层；处于外延单晶硅层边缘表面，厚2至4微米的外延单晶硅框架；覆盖外延单晶硅框架表面的介质薄膜；由外延单晶硅框架支持，厚10至20微米，开有若干直径3至6微米通孔，起电容器固定电极作用的外延单晶硅层；处于弹性电极和固定电极之间，由外延单晶硅框架所围绕的空洞夹层；处于单晶硅衬底内部，弹性电极外延单晶硅层下部，厚10至20微米，宽100至1000微米，形状与单晶硅层相似的空腔；以及向下贯穿空腔底部硅层，连接空腔内部与单晶硅衬底外部环境的通孔。
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