[发明专利]电介质组成物及电介质膜元件

摘要

本发明涉及提供电子发生元件中能够改善电子放出量随时间恶化的电介质组成物。本发明的电介质组成物，以Pb_xBi_p(Mg_y/3Nb_2/3) _aTi_b－zM_zZr_cO₃ (0.95≤x≤1.05，0.02≤p≤0.1，0.8≤y≤1.0，且a、b、c是在(0.550，0.425，0.025)，(0.550，0.150，0.300)，(0.100，0.150，0.750)，(0.100，0.525，0.375)，(0.375，0.425，0.200)的5个点所包围的范围内的小数。还有，0.02≤z≤0.10，M是从Nb、Ta、Mo、W中选择的至少一种。)所表示的PMN－PZ－PT三成分固溶系组成物为主要成分，并且含有的Ni的量换算成NiO的含量为0.05～2.0重量％。

主权项

1.一种电介质组成物，其特征在于：以一般式：PbxBip(Mgy/3Nb2/3)aTib-zMzZrcO3……(1)所表示的组成物为主要成分，并且该电介质组成物含有的Ni的量换算成NiO的含量为0.05～2.0重量％(在前述的(1)式中，0.85≤x≤1.03，0.02≤p≤0.1，0.8≤y≤1.0，且a、b、c是在以(a，b，c)＝(1，0，0)，(0，1，0)，(0，0，1)的三点为顶点的三角坐标中，(0.550，0.425，0.025)，(0.550，0.150，0.300)，(0.100，0.150，0.750)，(0.100，0.525，0.375)，(0.375，0.425，0.200)的5个点所包围的范围内的小数。还有，0.02≤z≤0.10，M是从Nb、Ta、Mo、W中选择的至少一种。)。