[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 200510092986.0 | 申请日： | 2005-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1825626A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 王志豪;王大维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，其源极及漏极间沟道部分具有应变材料层。该半导体元件包括：一基底，具有大于或等于硅晶格常数的材料；一第一层位于该基底上，其晶格常数大于该基底的晶格常数；一栅极位于该第一层上，其包括一栅极电极及其下的一栅极介电层；一间隙壁形成于该栅极电极的侧壁、该栅极介电层的侧壁及部分该第一层的表面上；以及一第二层位于该第一层上，其包括一顶表面、一底表面、及一侧表面连接该顶表面与该底表面，该第二层的晶格常数小于该第一层的晶格常数。其中该第二层位于该栅极电极与至少一部分的间隙壁之下，以及其中该第二层所有的侧表面与底表面接触该第一层。本发明的目的在于改善半导体元件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件，包括：一基底，包括具有大于或等于硅晶格常数的材料；一第一层位于该基底上，该第一层的晶格常数大于该基底的晶格常数；一栅极位于该第一层上，该栅极包括一栅极电极及其下的一栅极介电层；一间隙壁形成于该栅极电极的侧壁、该栅极介电层的侧壁及部分该第一层的表面上；以及一第二层位于该第一层上，该第二层包括一顶表面、一底表面、及一侧表面连接该顶表面与该底表面，该第二层的晶格常数小于该第一层的晶格常数；其中该第二层位于该栅极电极与至少一部分的间隙壁之下；以及其中该第二层所有的侧表面与底表面接触该第一层。
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