[发明专利]快闪存储器装置及其形成方法有效
申请号: | 200510093068.X | 申请日: | 2005-08-25 |
公开(公告)号: | CN1921120A | 公开(公告)日: | 2007-02-28 |
发明(设计)人: | 陈宗仁 | 申请(专利权)人: | 晶豪科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L27/112;H01L21/8239;H01L21/8246 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种快闪存储器装置及其形成方法,此快闪存储器装置包括了使用最小线宽的选择性微影制程的第一组浮置闸,其中更包括形成于底材的闸极氧化层之上的多个第一浮置闸;具有多个第二浮置闸的第二组浮置闸,其中这些第一与第二浮置闸连续沉积,即每个第二浮置闸沉积于每一对第一浮置闸之间;多个间隙壁,每个间隙壁沉积于每一对相邻的第一与第二浮置闸之间;以及多个连结这些浮置闸的控制闸,其中这些间隙壁及/或第二浮置闸的宽度小于最小线宽。 | ||
搜索关键词: | 闪存 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1、一种快闪存储器装置,其特征在于其包括:一第一组浮置闸,包括形成于一底材之上的闸极氧化层之上的一复数个第一浮置闸,该第一组浮置闸使用具有一最小线宽的一选择性微影制程;一第二组浮置闸,包括一复数个第二浮置闸,其中该等第一浮置闸与该等第二浮置闸连续沉积,每一该等第二浮置闸沉积于每一该等第一浮置闸之间;一复数个间隙壁,每一该等间隙壁沉积于各相邻的该第一浮置闸与该第二浮置闸之间;以及一复数个控制闸,连结该等浮置闸,其中该等间隙壁及/或该等第二浮置闸具有较该最小线宽更小的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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