[发明专利]用来形成一种具有预定电阻率的基膜的方法和装置及其用法无效
| 申请号： | 200510093275.5 | 申请日： | 2005-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN1741204A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 史旭;谢丽康 | 申请（专利权）人： | 纳峰科技私人有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C17/08;H01C17/12;H01C17/075 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 霍育栋;郑霞 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成具有预定电阻率的基膜的方法和装置。该方法包括以下步骤，将要被涂覆的基体置于一个真空腔体中，在该腔体中产生等离子体，将等离子体的离子沉积到基体上从而形成一ta－C的基膜。当ta－C基膜具有预定电阻率时停止涂覆操作。该预定电阻率为105－109Ωcm，并且优选为106Ωcm。可在沉积过程通过基体偏压来控制电阻率。该膜可用来减少或防止静电释放到基体上或从基体上释放出来，也可用该膜来形成种晶层以提高基体与另一膜之间的粘接性。其中公开的还有具有预定电阻率的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用来 形成 一种 具有 预定 电阻率 方法 装置 及其 用法 | ||
【主权项】：
1、一种形成具有预定电阻率的基膜的方法，其包括以下步骤：将要被涂覆的基体置于一个真空腔体中；在该腔体中产生碳的等离子体；将等离子体的离子沉积到基体上从而形成一ta-C的基膜；以及当ta-C基膜具有预定电阻率时停止涂覆操作。
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