[发明专利]砷化镓基增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管栅制作工艺无效
| 申请号： | 200510093369.2 | 申请日： | 2005-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1921077A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 李海鸥;张海英;尹军舰;叶甜春;和致经 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种砷化镓基单片集成增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)栅制作工艺，是在一种九层结构的砷化镓基增强/耗尽型PHEMT器件材料上制作晶体管栅，其采用分步制作增强/耗尽型栅技术：第一步，采用湿法腐蚀得到增强型栅槽，电子束蒸发金属Pt/Au形成增强型肖特基栅；第二步，采用湿法腐蚀得到耗尽型栅槽，电子束蒸发金属Ti/Pt/Au形成耗尽型肖特基栅。本发明工艺流程简单、易实现，对增强型PHEMT的制作成功非常有利，且源电阻小，源漏饱和电流较大、工作频率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓基 增强 耗尽 型赝配高 电子 迁移率 晶体管 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种砷化镓基增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管栅制作工艺，是在一种九层结构的砷化镓基增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管器件材料上制作晶体管栅，其特征在于，采用分步制作增强/耗尽型栅技术：第一步，制作增强型肖特基栅；第二步，制作耗尽型肖特基栅；其中，第一步包括：a、形成欧姆接触，清洗圆片，涂光刻胶，源漏区对准光刻增强型栅图形，显影；b、使用高选择性腐蚀液腐蚀第九层砷化镓和第八层铟镓磷外延层；c、去除残胶和氧化层；d、电子束蒸发栅金属系统Pt/Au形成增强型PHEMT栅，剥离多余金属得到增强型肖特基栅；第二步包括：a、清洗圆片，涂光刻胶，源漏区对准光刻耗尽型栅图形，显影；b、使用高选择性腐蚀液腐蚀第九层砷化镓外延层；c、去除残胶和氧化层；d、电子束蒸发栅金属系统Ti/Pt/Au形成耗尽型PHEMT栅，剥离多余金属得到耗尽型肖特基栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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