[发明专利]一种能够提高电荷保存能力的浮动栅极无效
| 申请号： | 200510093451.5 | 申请日： | 2005-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1744330A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 刘继文;江国庆;曾鸿辉;朱文定 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高翔 |
| 地址： | 台湾省新竹市新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，包含在基板中形成源极与漏极。在基板上的源极与漏极之间形成穿隧式介电质。浮动栅极位于该穿隧式介电质上，且此浮动栅极的能隙低于硅的能隙。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 能够 提高 电荷 保存 能力 浮动 栅极 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征是包含：源极与漏极，形成在基板中；穿隧式介电质，形成在该基板上，且介于该源极与该漏极之间；以及浮动栅极，位于该穿隧式介电质上，该浮动栅极的能隙低于硅的能隙。
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