[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种利用牺牲应力层来制作半导体元件的整合型高阶方法，其中牺牲应力层是作为薄膜叠层的一部份，可使形成于元件的金属硅化物具有空间选择性。将元件的低电阻部分，包含NMOS晶体管与PMOS晶体管，予以金属硅化。应力膜可以是拉伸氮化膜或是压缩氮化膜。在硅化金属形成的制程前，进行回火制程。在回火制程期间，应力氮化膜可以优先地留在NMOS晶体管或是PMOS晶体管上，但并非同时留在两者上，藉以较佳化元件的性能。在回火制程期间，拉伸氮化膜留在NMOS晶体管但并不留在PMOS晶体管上，压缩氮化膜则是留在PMOS晶体管但并不留在NMOS晶体管上。

主权项

1、一种半导体元件的制造方法，其特征在于其至少包括以下步骤：形成复数个晶体管，其中该些晶体管具有未经回火的复数个源极/汲极区，且该些晶体管中包括一PMOS晶体管以及一NMOS晶体管；设置一应力氮化硅膜在该PMOS晶体管与该NMOS晶体管中的一者上但不位于另一者上；以及在该应力氮化硅膜位于该PMOS晶体管与该NMOS晶体管的该者上但不位于该另一者上时，对该源极/汲极区进行一回火步骤。