[发明专利]优化场形线性离子阱及其质量分析器无效

专利信息
申请号: 200510093519.X 申请日: 2005-08-30
公开(公告)号: CN1925102A 公开(公告)日: 2007-03-07
发明(设计)人: 方向;丁传凡 申请(专利权)人: 方向
主分类号: H01J49/26 分类号: H01J49/26;H01J49/42;G01N30/72
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100013北京市朝阳区*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种具有优化场形且易于加工的大容量线性离子阱及其质量分析器。该优化场形线性离子阱及其质量分析器包括离子捕获室、RF射频信号和DC直流信号,其中,RF电极为柱面体结构,其柱面是由平行于z轴并沿电极准线f(x,y)=0移动的电极母线L所描绘出的轨迹,具有分段函数的形式,利用一组通过分段函数各分界点且平行平面可将x电极或y电极解析为至少三个薄层单元。此类可解析为多个薄层单元的电极易于加工与装配,通过调整薄层单元的参数可获得优化的四极场场形,从而改善大容量线性离子阱及其质量分析器的分析性能。
搜索关键词: 优化 线性 离子 及其 质量 分析器
【主权项】:
1.一种优化场形线性离子阱及其质量分析器,包括:由至少四个平行于离子阱中心轴z轴的RF电极和一对端电极所确定的离子捕获室;生成RF离子捕获电场的RF射频信号;生成轴向离子捕获电势阱的DC直流信号;其特征在于:所述RF电极为柱面体结构,其柱面为由平行于z轴并沿电极准线fx(x,y)=0或fy(x,y)=0移动的电极母线L所描绘出的轨迹,电极准线fx(x,y)=0和fy(x,y)=0具有分段函数的形式,利用一组通过分段函数各分界点的平行平面可将RF电极解析为至少三个薄层单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于方向,未经方向许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510093519.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top