[发明专利]用于依序侧向结晶技术的掩膜及激光结晶方法无效
| 申请号： | 200510093808.X | 申请日： | 2005-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1924683A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 张茂益;张志雄 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种应用于依序侧向结晶技术的掩膜及激光结晶的方法，所述掩膜包括多个平行配置的重复图案，具有一长轴对称线与一短轴。上述重复图案由一第一单元以及与第一单元镜面对称于所述图案的长轴对称线的第二单元所构成，其中第一、第二单元分别具有多个透光区以及遮光区。上述这些平行配置的重复图案彼此间隔一特定距离。应用本发明所揭露的掩膜于SLS技术中，由于掩膜上的图案图形对称的概念，可制作至少两种晶粒方向的多晶硅图案。另外，利用控制掩膜上的多个遮光区及透光区图案面积大小，可以得到完美的晶粒边界。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 侧向 结晶 技术 激光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种应用于依序侧向结晶技术的掩膜，其特征在于包括：多个平行配置的重复图案，具有一长轴对称线与一短轴，所述图案由一第一单元以及与所述第一单元镜面对称于所述图案的长轴对称线的第二单元所构成，其中所述第一、第二单元分别具有多个透光区以及遮光区。
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