[发明专利]半导体激光装置

摘要

在支撑部件上，经多个融着层，顺序层积副基板、蓝紫色半导体激光元件、绝缘层和红色半导体激光元件。在蓝紫色半导体激光元件的n侧衬垫电极上，层积绝缘层，在绝缘层上形成导电层。在导电层上经融着层而层积红色半导体激光元件。导电层与红色半导体激光元件的p侧衬垫电极电气连接。蓝紫色半导体激光元件的n侧衬垫电极和红色半导体激光元件的n侧衬垫电极电气连接。

主权项

1、一种半导体激光装置，其特征在于，包括导电性的支撑部件；绝缘层；形成于所述绝缘层一方的面上的导电层；第一半导体激光元件，具备形成于第一基板上的第一半导体层、形成于所述第一半导体层中的第一的一方电极和形成于所述第一基板中的第一的另一方电极，射出第一波长的光；和第二半导体激光元件，具备形成于第二基板上的第二半导体层、形成于所述第二半导体层中的第二的一方电极和形成于所述第二基板中的第二的另一方电极，射出第二波长的光，其中，所述第二半导体层包含电流狭窄层，使从所述第二的一方电极流向所述第二的另一方电极的电流变窄，在所述支撑部件上设置所述第一半导体激光元件，使所述第一的一方电极位于所述支撑部件侧，在所述第一半导体激光元件的所述第一的另一方电极上，顺序设置所述绝缘层和所述导电层，在所述导电层上设置所述第二半导体激光元件，使得所述第二的一方电极电气连接于所述导电层，所述第二的另一方电极与所述第一的另一方电极电气连接，在所述绝缘层中产生的电容值为所述电流狭窄层中产生的电容值以下。