[发明专利]半导体激光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510093867.7 | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1744398A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 畑雅幸;别所靖之;野村康彦;庄野昌幸 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/10;H01S5/022 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光装置中使用的一芯片半导体激光元件。其中，红色半导体激光元件和红外半导体激光元件层叠在蓝紫色半导体激光元件上。蓝紫色半导体激光元件通过在GaN基板上形成半导体层来制造。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件分别通过在GaAs基板上形成半导体层来制造。GaAs的弹性模量比GaN的弹性模量小。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件的长度分别比蓝紫色半导体激光元件的长度长。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光装置，其特征在于，备有：在第一基板上形成、且具有第一共振器的第一半导体激光芯片；以及在第二基板上形成、且具有第二共振器的第二半导体激光芯片，层叠所述第一半导体激光芯片及所述第二半导体激光芯片使所述第一共振器和所述第二共振器大致平行，所述第二共振器的长度比所述第一共振器的长度长，所述第二基板的弹性模量比所述第一基板的弹性模量小。
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