[发明专利]物理气相沉积设备及其电极及其沉积环无效
| 申请号： | 200510093905.9 | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1847446A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 郭裕元;戴硕彦;蔡宙庭;莫明德;郑国贤;郑冠桦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种物理气相沉积设备及其电极及其沉积环。该沉积环具有一沉积环本体、一沟槽以及一凸状结构。沉积环本体呈平板环状，并具有一第一表面。沟槽以及凸状结构均呈环状，形成于第一表面之上，凸状结构邻接沟槽，并靠近该沉积环本体的外侧。沟槽具有一第一侧壁、一第二侧壁以及一沟槽底部。第一侧壁的曲率半径大于第二侧壁的曲率半径。第二侧壁为完整连续的环状壁面。该沟槽底部位于第一侧壁以及第二侧壁之间。第一侧壁与沟槽底部之间并有一第一夹角，第一夹角介于65度至120度之间，较佳为90度。沟槽的深度介于1.2毫米至3毫米之间，较佳为2毫米。本发明可有效避免金属沉积物形成于晶圆背面，并可避免沟槽侧壁缺口位置的金属沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 物理 沉积 设备 及其 电极 | ||
【主权项】：
1、一种沉积环，具有：一沉积环本体，呈平板环状，具有一第一表面；以及一沟槽，该沟槽呈环状，形成于该第一表面之上，并靠近该沉积环本体的内侧，其中，该沟槽的深度介于1.2毫米与3毫米之间。
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