[发明专利]用于降低有源植入性医疗器械对诸如磁共振成像这样的医学过程的易感性的装置和过程无效
| 申请号： | 200510093987.7 | 申请日： | 2005-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1762510A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·A.·史蒂文森 | 申请（专利权）人： | 巨佰－雪莱公司 |
| 主分类号： | A61N1/375 | 分类号： | A61N1/375;A61B17/00;H01F17/00;H03H1/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 马浩 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种有源植入性医疗器械(AIMD)的穿通端子组合件包括从AIMD电子电路延伸出的多条导线，以及有损铁氧体电感器，所述导线以非导电的关系穿过所述有损铁氧体电感器，用于通过由所述导线携带的信号的相位抵消来增加所述导线在选中的RF频率下的阻抗并且降低所述有损铁氧体电感器的磁通量磁芯饱和。还提供了一种用于对从一个AIMD延伸到体液或组织中的植入的导线的电磁干扰(EMI)进行滤波的过程，其中所述导线遭受偶发高功率电磁场，例如由包括磁共振成像的医学诊断设备产生的高功率电磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 有源 植入 医疗器械 诸如 磁共振 成像 这样 医学 过程 感性 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于有源植入性医疗器械(AIMD)的穿通端子组合件，包括：多条导线，所述多条导线从AIMD的电子电路延伸；以及一个有损铁氧体电感器，所述导线以非导电的关系穿过所述有损铁氧体电感器，用于通过由所述导线携带的信号的相位抵消来增加所述导线在选中的RF频率下的阻抗并且降低所述有损铁氧体电感器的磁通量磁芯饱和。
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