[发明专利]三维多栅高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管无效
| 申请号： | 200510094030.4 | 申请日： | 2005-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1763971A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;时龙兴;易扬波;陆生礼;桑爱兵 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用作高压器件的三维多栅高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有氧化层，在氧化层上设有柱状N型漂移区，在氧化层上且位于N型漂移区两端分别相邻设置N型漏和N沟道，在氧化层上且位于与N沟道相邻的位置设有N型源，在N型漂移区的表面包覆有场氧化层，在N沟道的表面包覆有栅氧层，在场氧化层和栅氧层的表面包覆有多晶硅层；本发明具有结构紧凑且能与标准SOI金属氧化物半导体工艺相兼容，在相同的击穿电压下，导通电阻小于传统的高压横向双扩散金属氧化物半导体管的三分之一，而电流密度增加2倍以上等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 高压 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 | ||
【主权项】：
1、一种用作高压器件的三维多栅高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有氧化层(2)，其特征在于在氧化层(2)上设有柱状N型漂移区(3)，在氧化层(2)上且位于N型漂移区(3)两端分别相邻设置N型漏(4)和N沟道(5)，在氧化层(2)上且位于与N沟道(5)相邻的位置设有N型源(6)，在N型漂移区(3)的表面包覆有场氧化层(7)，在N沟道(5)的表面包覆有栅氧层(8)，在场氧化层(7)和栅氧层(8)的表面包覆有多晶硅层(9)。
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