[发明专利]一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法无效
| 申请号： | 200510094184.3 | 申请日： | 2005-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1763268A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 谢自力;张荣;刘成祥;韩平;周圣明;修向前;刘斌;李亮;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/40;H01L21/205 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中用铝酸锂做衬底生长a面或m面的GaN材料，在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，时间为10－60分钟，或然后通入氨气进行表面氮化，时间为10－60分钟；然后在500－1050℃温度范围通入载气H2和或N2，NH3气以及金属有机镓源，金属有机镓源流量为1－50sccm；NH3气500－7000sccm；N与Ga之摩尔比为500－3000，在(302)或(100)铝酸锂衬底上合成生长a面或m面的GaN材料，生长温度500－1050℃温度下，时间为10－60分钟。本发明GaN薄膜具有更好的应用价值，且薄膜厚度可以控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 薄膜 材料 控制 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法，其特征是在MOCVD系统中用(302)和(100)铝酸锂做衬底生长a面或m面的GaN材料，在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，时间为10-60分钟，或然后通入氨气进行表面氮化，时间为10-60分钟；然后在500-1050℃温度范围通入载气H2和或N2，NH3气以及金属有机镓源，金属有机镓源流量为1-50sccm；NH3气500-7000sccm；N与Ga之摩尔比为500-3000，在(302)或(100)铝酸锂衬底上合成生长a面或m面的GaN材料，生长温度500-1050℃温度下，时间为10-60分钟。
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