[发明专利]聚合物的表面亚微米二维布拉维点阵、链阵列制备方法无效

专利信息
申请号: 200510094917.3 申请日: 2005-10-20
公开(公告)号: CN1769034A 公开(公告)日: 2006-05-10
发明(设计)人: 王振林;祝名伟;闵乃本 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: B29D11/00 分类号: B29D11/00;B29C71/02;B29K69/00;B29K77/00;B29K59/00;B29K61/00;B29K23/00;B29K67/00
代理公司: 南京苏高专利事务所 代理人: 柏尚春
地址: 210093*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种聚合物表面亚微米二维布拉维点阵、链阵列制备方法,属于纳米/微米微结构材料及其制备技术。本发明所指聚合物表面亚微米二维布拉维点阵、链阵列的聚合物为聚烯、聚酯、聚酰胺等具有明显力学屈服行为的高聚物;二维布拉维点阵包括所有二维基本布拉维格子,即六方、四方、长方、菱形、斜方。制备方法采用压模—拉伸法,即首先利用胶体晶体模板结合热处理技术制备亚微米印模;经过热压脱模,制备亚微米六方点阵;然后通过可控拉伸,制备六方、四方、菱形、长方、斜方等点阵结构以及链等表面微结构。本发明具有可制备所有类型二维基本布拉维格子;点阵参数宽范围精确可调;适用聚合物材料范围广;低成本;易操作,无需复杂设备与技术;可大批量快速生产等特点。
搜索关键词: 聚合物 表面 微米 二维 布拉维 点阵 阵列 制备 方法
【主权项】:
1、一种聚合物的表面亚微米二维布拉维点阵、链阵列制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤:(1)通过自组装技术在聚合物表面排列亚微米/微米SiO2微球,获得大面积高度有序的二维单层微球阵列,然后在恒温箱中热处理,最后用HF酸腐蚀去除SiO2微球获得聚合物印模;(2)利用上述聚合物印模在另一聚合物薄膜表面压印,放入恒温箱经过热处理后脱模,将步骤(1)所得聚合物印模的表面微结构复制到另一聚合物薄膜表面;(3)调控另一聚合物的拉伸率和拉伸方向,实现该聚合物的微观非均匀延伸,形成各种六方、四方、菱形、长方、斜方等点阵或链阵结构表面微结构。
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