[发明专利]门极换流晶闸管GCT的门-阴极结构设计方法无效
申请号: | 200510096016.8 | 申请日: | 2005-09-12 |
公开(公告)号: | CN1750241A | 公开(公告)日: | 2006-03-22 |
发明(设计)人: | 王彩琳;高勇 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | H01L21/332 | 分类号: | H01L21/332;H01L29/74;G06F17/50 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 罗笛 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种门极换流晶闸管GCT的门-阴极结构设计方法,该方法包括,首先确定GCT的门-阴极横向尺寸,确定梯形阴极单元图形尺寸和单元外围尺寸,再确定梯形阴极单元的个数,最后确定每环排列的单元个数,将阴极指条设计为梯形状,按同心环排列在整个阴极面上,并且从里到外,梯形的面积逐渐减小。按本发明设计方法得到的GCT的门-阴极结构,不仅可以增加器件的有效阴极面积,使其在导通时流过更大的电流,而且对器件关断时电流的分布没有任何影响,从而使通态电流容量得到提高。 | ||
搜索关键词: | 换流 晶闸管 gct 阴极 结构设计 方法 | ||
【主权项】:
1.一种门极换流晶闸管GCT的门-阴极结构设计方法,将阴极指条设计为梯形状,按同心环排列在整个阴极面上,并且从里到外,梯形的面积逐渐减小,该方法包括:首先确定GCT的门-阴极横向尺寸根据门极特性指标即根据实际需要的门极触发电流和触发电压来确定GCT的门-阴极横向尺寸,包括中心门极的半径rg、第一环阴极指条到中心门极的内半径r1、第二环阴极指条到中心门极的内半径r2、第三环阴极指条到中心门极的内半径r3、第四环阴极指条到中心门极的内半径r4、第五环阴极指条到中心门极的内半径r5、第六环阴极指条到中心门极的内半径r6、第六环以上内半径,及阴极管芯外围台面磨角腐蚀的预留尺寸rt、整个管芯的半径R、阴极单元间距D,即2d,其特征在于,该方法还包括以下步骤:其次确定阴极单元图形尺寸和单元外围尺寸根据最大可关断电流指标ITGQM满足下式I TGQM = 4 V BRJ 3 R kp ]]> 和R kp = ρ p 2 w W P 2 · l ]]> 其中,VBRJ3为J3结的击穿电压,Rpk为电流垂直于径向方向的P基区横向电阻,ρp2为P基区的平均电阻率,Wp2为P基区的厚度,长度l取2.6mm~4mm,得到指条宽度w,确定阴极单元图形为梯形,梯形指条单元的内边宽w内=w,梯形指条高度h=l,梯形指条单元图形的面积为:
阴极单元图形外围尺寸:内边宽W内=w内+2d,外边宽W外=w外+2d,高H=h+2d,门-阴单元阴极图形的面积为:
再次确定阴极单元的个数最大可关断电流ITGQM与电流密度J的比值即总的阴极单元个数;最后确定每环排列的单元个数根据已确定每环阴极指条内边到中心门极的间距ri及阴极单元的指条的梯形的高h及阴极指条的间距2d=D,可计算出每一环阴极指条到中心门极的内周长L内I,再除以门-阴极单元的内边宽W内I,初步得到每一环的单元个数,因为阴极单元的个数必须为整数,所以取整后即可确定每一环的单元个数Ni,再反推出每一环阴极指条的内边宽w内i和外边宽w内I,第一环阴极指条到中心门极的内周长L内l为:L内l=r1×2π用第一环的内周长L内l除以第一环阴极单元内边宽和间距之和,即得到第一环内排列的门-阴极单元个数,Nl=L内l/(w内+2d)对Nl取整后,再根据L内l和Nl推出则单元内边宽W内l和阴极指条的内边宽w内l分别为:W内l=L内l/Nlw内l=W内l-2d第一环阴极指条到中心门极的外周长L外l为:L外l=(r1+l)×2πW外l=L外l/Nw外l=W外l-2d于是,第一环单元面积S单元l和梯形阴极指条的面积S梯形l分别为:![]()
第二环,第三环,以及第三环以上的单元数目及相关尺寸计算利用以下通式:L内i=ri×2π,Ni=L内i/(2d+w内),并取整,W内i=L内i/Niw内i=W内i-2dL外i=(ri+l)×2πW外i=L外i/Nw外i=W外i-2di=2,3,……得到的各环阴极指条单元数目,按同心环排列,即完成了GCT的门-阴极结构设计。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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