[发明专利]磷化铟材料上原位淀积高介电常数三氧化二铝和金属膜的方法

摘要

本发明公开了一种在磷化铟材料上原位淀积高介电常数三氧化二铝和金属膜的方法。采用EB真空蒸发，用99.99％以上高纯度三氧化二铝颗粒和金属作蒸发材料，其具体过程是：先清洗片子，进行光刻，蒸发窗口；然后将基片装入EB蒸发台的钟罩内，抽真空至1.8×10^－3Pa以上；用Ar离子活化InP片子表面，并设定三氧化二铝和金属的密度系数，将蒸发电压置10kv，根据所蒸材料加上不同值的蒸发电流，分别进行Al₂O₃膜的蒸发和金属膜的蒸发淀积，待膜厚达到预定值后速将电流减为0，最后将片子上的三氧化二铝和金属通过剥离方法留下所需部分。本发明只需一台设备，降低了成本，减少了环境污染，工艺简单，生成膜质量好，可用于InP基器件和IC的量产。

主权项

1.一种在磷化铟材料上原位淀积高介电常数三氧化二铝和金属膜的方法，其特征在于：采用Al2O3颗粒和金属在一个电子束蒸发台内，先后完成对高介电常数Al2O3膜和金属膜的蒸发，具体过程如下：第一步：对InP基材料的基片进行清洗，并烘干；第二步：在清洗干净的InP基片上光刻图形；第三步：将光刻后的片子装入电子束蒸发台EB的反应室中，对其抽真空达预定值，用氩离子活化InP基片表面，再分别进行Al2O3膜和金属膜的蒸发；第四步，将蒸发到片子上的Al2O3/金属，或金属/Al2O3进行剥离，留下需要部分。