[发明专利]避开与非门闪存坏区的存储系统及方法无效
| 申请号： | 200510096367.9 | 申请日： | 2005-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1801115A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 陈淮琰;肖坚;杨党林 | 申请（专利权）人： | 无敌科技（西安）有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/00 | 分类号： | G06F12/00;G06F12/02;G06F12/16;G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人： | 商宇科 |
| 地址： | 710075陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种内存存储系统及方法，尤其涉及一种避开与非门闪存坏区的存储系统及方法。该系统包括中央处理单元、地址门锁电路、控制模块、内存控制讯号生成模块、缓冲模块、总线控制模组、与非门闪存，其特征在于本系统还包括坏区处理模块，所述坏区处理模块分别与所述中央处理单元、所述地址门锁电路及所述总线控制模块联接。本发明的优点在于在硬件电路的基础上结合软件来实现避开与非门闪存(NAND FLASH)坏区，为能够在对与非门闪存进行存储的过程中避开与非门闪存的坏区提供了一种低成本、高效率的解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 避开 与非门 闪存 存储系统 方法 | ||
【主权项】：
1、一种避开与非门闪存坏区的存储系统，该系统包括中央处理单元、地址门锁电路、控制模块、内存控制讯号生成模块、缓冲模块、总线控制模组、与非门闪存，其特征在于本系统还包括坏区处理模块，所述坏区处理模块分别与所述中央处理单元、所述地址门锁电路及所述总线控制模块联接。
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