[发明专利]利用氧化还原反应沉积贵金属电极的方法有效
| 申请号： | 200510096501.5 | 申请日： | 2005-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1737193A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李正贤;相崔俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00;C23C16/513;C23C16/06;C23C16/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用氧化还原反应沉积贵金属电极的方法。该方法包括向反应室中注入贵金属源气体、氧化气体和还原气体；及在该反应室中产生等离子体，以在底部结构上形成贵金属层或贵金属氧化物层。由此，该贵金属电极具有优异的层质量。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 氧化 还原 反应 沉积 贵金属 电极 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用氧化还原反应沉积贵金属电极的方法，包括：向反应室中注入贵金属源气体、氧化气体和还原气体；及在该反应室中产生等离子体，以在底部结构上形成贵金属层或贵金属氧化物层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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