[发明专利]电子发射装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510096510.4 | 申请日： | 2005-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1755881A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 李昌洙 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J29/02 | 分类号： | H01J29/02;H01J29/04;H01J29/46;H01J1/30;H01J31/12;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子发射装置，包括：基板；形成在所述基板上的阴极电极；和电连接至所述阴极电极的电子发射区。栅极电极形成在所述阴极电极之上，第一绝缘层置于其间。所述栅极电极具有露出所述基板上的所述电子发射区的多个开口部分。聚焦电极形成在所述第一绝缘层和所述栅极电极之上，第二绝缘层介于其间。所述聚焦电极具有对应于所述栅极电极的所述开口部分、尺寸小于所述栅极电极的所述开口部分的尺寸的开口部分。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子发射装置，包括：基板；形成在所述基板上的阴极电极；电连接至所述阴极电极的电子发射区；形成在所述阴极电极之上并插入第一绝缘层的栅极电极，所述栅极电极具有露出所述基板上的所述电子发射区的多个开口部分；以及形成在所述第一绝缘层和所述栅极电极之上的聚焦电极，第二绝缘层介于所述聚焦电极与所述栅极电极之间，所述聚焦电极具有对应于所述栅极电极的所述开口部分、尺寸小于所述栅极电极的所述开口部分的尺寸的开口部分。
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