[发明专利]具有低翘曲度和低弯曲度的层结构的半导体晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 200510096535.4 | 申请日： | 2005-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1741276A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·布利茨;罗伯特·赫茨尔;赖因霍尔德·瓦赫利希;安德烈亚斯·胡贝尔 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种直径至少为200毫米、包括一个由硅构成的载体晶片、一个电绝缘层以及一个位于其上的半导体层的半导体晶片，该半导体晶片是利用包括至少一个快速热退火步骤的层转移法而制得，其特征在于，该半导体晶片的翘曲度低于30微米，Delta翘曲度低于30微米，弯曲度低于10微米且Delta弯曲度低于10微米。此外，本发明还涉及通过热处理制造所述的半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 曲度 弯曲 结构 半导体 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种直径至少为200毫米、包括一个由硅构成的载体晶片、一个电绝缘层以及一个位于其上的半导体层的半导体晶片，该半导体晶片是利用包括至少一个快速热退火步骤的层转移法而制得的，其特征在于，该半导体晶片的翘曲度低于30微米，Delta翘曲度低于30微米，弯曲度低于10微米且Delta弯曲度低于10微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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