[发明专利]电子发射装置无效
| 申请号： | 200510096593.7 | 申请日： | 2005-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1744255A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 黄成渊 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J3/02 | 分类号： | H01J3/02;H01J1/30;H01J29/02;H01J31/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子发射装置。该电子发射装置包括：第一基板；和第一和第二电极，形成于第一基板上且通过插入在它们之间的第一绝缘层来彼此绝缘。电子发射区电耦合到第一电极。聚焦电极形成于第一和第二电极上，且第二绝缘层插入聚焦电极与第一和第二电极之间。第二绝缘层具有暴露电子发射区的开口。第一和第二绝缘层每个具有1μm或更大的厚度，且第一绝缘层具有比第二绝缘层的软化温度高30℃或更大的软化温度。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 装置 | ||
【主权项】：
1.一种电子发射装置，包括：第一基板；第一和第二电极，形成于所述第一基板上且通过插入在它们之间的第一绝缘层来彼此绝缘；电子发射区，电耦合到所述第一电极；聚焦电极，形成于所述第一和第二电极上；和第二绝缘层，插入所述聚焦电极与所述第一和第二电极之间，并具有暴露所述电子发射区的开口，其中，所述第一和第二绝缘层每个具有1μm或更大的厚度，且所述第一绝缘层具有比所述第二绝缘层的软化温度高30℃或更大的软化温度。
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