[发明专利]双极型晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200510096626.8 | 申请日： | 2005-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN1921145A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 林仪宇 | 申请（专利权）人： | 敦南科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双极型晶体管及其制造方法，其在晶体管的基极层与发射极层间扩散有低掺杂层，以有效降低从该基极层回流到该发射极层的周边无效电流，提高基极层到该发射极层的周边表面正向偏压，而达到晶体管的高电流增益特性。该双极型晶体管至少包括：半导体衬底；深埋层，形成于该半导体衬底上；外延层，形成于该深埋层上；集电极层，形成于该外延层上；基极层，形成于该外延层上；发射极层，形成于该基极层中；及低掺杂层，形成于该基极层与该发射极层的周边表面间。 | ||
| 搜索关键词： | 双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极型晶体管，该晶体管至少包括：半导体衬底；外延层，形成于该半导体衬底上；集电极层，形成于该外延层上；基极层，形成于该外延层上；发射极层，形成于该基极层中；及低掺杂层，形成于该基极层与该发射极层的周边表面间；由此，该低掺杂层可以有效降低从该基极层回流到该发射极层的周边无效电流，以提高基极层到该发射极层的周边表面正向偏压，而达到高电流增益的特性。
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